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參數(shù)資料
| 型號： | BST39 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 12K |
| 代理商： | BST39 |
SOT89 NPN SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 4 – J UNE 1996
FEATURES
*
Fast Switching
*
High h
FE
.
%
COMPLEMENTARY TYPE –
BST16
PARTMAKING DETAIL –
AT1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
400
V
Collector-Emitter Voltage
350
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
1
A
Continuous Collector Current
500
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
1
W
-65 to +150
°C
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
400
V
I
C
=10
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
350
V
I
C
=1mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=10
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
20
nA
V
CB
=300V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.5
V
I
C
=50mA, I
B
=4mA
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.3
V
I
C
=50mA, I
B
=4mA
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
40
I
C
=20mA, V
CE
=10V*
Output Capacitance
C
obo
2
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Input Capacitance
C
ibo
20
pF
V
EB
=10V, f=1MHz
Transition Frequency
f
T
70
MHz
I
=10mA, V
CE
=10V,
f=5MHz
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see FMMT458 datasheet.
BST39
C
C
B
E
SOT89
3 - 77
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BST39 | NPN high-voltage transistors |
| BST52 | NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR |
| BSV60 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
| BSV64 | Small Signal Transistors |
| BSX60 | Small Signal Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BST39 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BST39,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BST39115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 350V 0.1A SOT-89 |
| BST39T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
| BST39TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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