參數(shù)資料
型號(hào): BST39
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN high-voltage transistors
中文描述: NPN高壓型晶體管
封裝: BST39<SOT89 (SOT89)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT89.html<1<week 28, 2003,;
文件頁(yè)數(shù): 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 96K
代理商: BST39
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 2000 Jul 03
2004 Dec 14
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BST39; BST40
NPN high-voltage transistors
dbook, halfpage
M3D109
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BST52 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
BSV60 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package
BSV64 Small Signal Transistors
BSX60 Small Signal Transistors
BSY34 Small Signal Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BST39 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BST39,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BST39115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 350V 0.1A SOT-89
BST39T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89
BST39TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2