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參數(shù)資料
| 型號： | BST122 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 250 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | BST122 |
April 1995
5
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BST122
Fig.2 Switching times test circuit.
handbook, halfpage
MBB689
50
VDD =
50 V
ID
0 V
10 V
Fig.3 Input and output waveforms.
handbook, halfpage
MBB690
10 %
90 %
90 %
10 %
ton
toff
OUTPUT
INPUT
Fig.4
Drain current vs ON-resistance;
T
j
= 25
°
C; typical values.
handbook, halfpage
18
6
10
8
ID
(mA)
RDSon (
)
12
14
16
3
10
2
10
MDA779
VGS =
10 V
6 V
5 V
4.5 V
7.5 V
Fig.5
Transfer characteristics;
T
j
= 25
°
C;
V
DS
= 10 V; typical values.
handbook, halfpage
ID
(A)
0
0.6
0.4
0.2
0
2
4
10
8
6
MDA780
VGS (V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BST15 | PNP high-voltage transistor |
| BST16 | PNP high-voltage transistor |
| BST40 | NPN high-voltage transistors |
| BST62_70 | |
| BST62-70 | PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| bst-122-08-s-d-230-ra | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN UNSHRD HDR HDR 44 POS 2.54MM SLDR RA TH - Bulk |
| BST-122-09-G-D-230 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:BOTTOM SHROUD TERMINAL - Bulk |
| BST-122-09-H-D-230 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:BOTTOM SHROUD TERMINAL - Bulk |
| BST-122-09-H-D-318 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:BOTTOM SHROUD TERMINAL - Bulk |
| BST-122-09-L-D-318 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:BOTTOM SHROUD TERMINAL - Bulk |
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