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參數資料
| 型號： | BSS75 |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 250V五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|至206AA |
| 文件頁數： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 184K |
| 代理商： | BSS75 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS75S | TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
| BSS78 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS79BL | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS79CL | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS80BL | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSS75S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
| BSS76 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:HIGH VOLTAGE PNP SILICON TRANSISTOR |
| BSS7728 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor |
| BSS7728N | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| BSS7728N H6327 | 功能描述:MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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