型號(hào): | BSS80BL |
元件分類: | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
英文描述: | Transient Voltage Suppressor Diodes |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 40V的五(巴西)總裁| 800mA的一(c)| SOT - 23封裝 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 70K |
代理商: | BSS80BL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BSS80CL | Transient Voltage Suppressor Diodes |
BSS84L | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 100MA I(D) | SOT-23 |
BSS84LT3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
BSS84T1 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
BSS84T3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSS80BTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BSS80BTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BSS80C | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
BSS80C 86 | 制造商:n/a 功能描述:BSS80 S6L5B |
BSS80C86 | 制造商:n/a 功能描述:BSS80 S6L5B |