參數(shù)資料
型號： BSS62T1
元件分類： TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述： Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： 中功率進(jìn)步黨硅達(dá)林頓晶體管表面貼裝
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 52K
代理商： BSS62T1
1997 May 14
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP Darlington transistors
BSS61; BSS62
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP. MAX. UNIT
I
CES
collector cut-off current
BSS61
BSS62
emitter cut-off current
DC current gain
V
BE
= 0; V
CE
=
60 V
V
BE
= 0; V
CE
=
80 V
I
C
= 0; V
EB
=
4 V
I
C
=
150 mA; V
CE
=
10 V
I
C
=
500 mA; V
CE
=
10 V
1000
2000
50
50
100
1.3
1.3
nA
nA
nA
I
EBO
h
FE
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage I
C
=
500 mA; I
B
=
0.5 mA
V
V
I
C
=
500 mA; I
B
=
0.5 mA; T
j
= 200
°
C
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
BSS61
I
C
=
1 A; I
B
=
1 mA
I
C
=
1 A; I
B
=
1 mA; T
j
= 200
°
C
1.6
1.6
V
V
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
BSS62
I
C
=
1 A; I
B
=
4 mA
I
C
=
1 A; I
B
=
4 mA; T
j
= 200
°
C
I
C
=
500 mA; I
B
=
0.5 mA
1.6
1.6
1.9
V
V
V
V
BEsat
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
base-emitter saturation voltage
BSS61
BSS62
transition frequency
I
C
=
1 A; I
B
=
1 mA
I
C
=
1 A; I
B
=
4 mA
I
C
=
500 mA; V
CE
=
5 V; f = 100 MHz
200
2.2
2.2
V
V
MHz
f
T
Switching times (between 10% and 90% levels)
t
on
turn-on time
I
Con
=
500 mA; I
Bon
=
0.5 mA;
I
Boff
= 0.5 mA
I
Con
=
1 A; I
Bon
=
1 mA; I
Boff
= 1 mA
I
Con
=
500 mA; I
Bon
=
0.5 mA;
I
Boff
= 0.5 mA
I
Con
=
1 A; I
Bon
=
1 mA; I
Boff
= 1 mA
0.5
μ
s
0.4
0.7
μ
s
μ
s
t
off
turn-off time
1.5
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS72S TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200A I(C) | TO-18
BSS73CSM NPN
BSS73DCSM Transient Voltage Suppressor Diodes
BSS73 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package
BSS74CSM TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 500MA I(C) | LLCC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSS63 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 100V/ 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSS63 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSS63,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSS63_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 100V/ 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
bss63215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP -100V -100MA
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