參數(shù)資料
型號： BSS62T1
元件分類： TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述： Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： 中功率進步黨硅達林頓晶體管表面貼裝
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 52K
代理商： BSS62T1
1997 May 14
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP Darlington transistors
BSS61; BSS62
FEATURES
High current (max. 1 A)
Low voltage (max. 80 V)
Integrated diode and resistor.
APPLICATIONS
Industrial high gain amplification.
DESCRIPTION
PNP Darlington transistor in a TO-39 metal package.
NPN complements: BSS51 and BSS52.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
emitter
base
collector, connected to case
Fig.1 Simplified outline (TO-39) and symbol.
handbook, halfpage
MAM310
2
3
1
2
3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BSS61
BSS62
collector-emitter voltage
BSS61
BSS62
collector current (DC)
total power dissipation
open emitter
80
90
V
V
V
CES
V
BE
= 0
2000
200
60
80
1
0.8
5
V
V
A
W
W
I
C
P
tot
T
amb
≤
25
°
C
T
case
≤
25
°
C
I
C
=
500 mA; V
CE
=
10 V
I
C
=
500 mA; V
CE
=
5 V; f = 100 MHz
h
FE
f
T
DC current gain
transition frequency
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS72S TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200A I(C) | TO-18
BSS73CSM NPN
BSS73DCSM Transient Voltage Suppressor Diodes
BSS73 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package
BSS74CSM TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 500MA I(C) | LLCC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSS63 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 100V/ 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSS63 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSS63,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSS63_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 100V/ 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
bss63215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP -100V -100MA
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