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參數(shù)資料
| 型號： | BSS51 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Darlington transistors |
| 中文描述： | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 封裝： | METAL, TO-39, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | BSS51 |
1997 Sep 03
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN Darlington transistors
BSS50; BSS51; BSS52
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BSS50
BSS51
BSS52
collector-emitter voltage
BSS50
BSS51
BSS52
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
base current (DC)
total power dissipation
open emitter
60
80
90
V
V
V
V
CES
V
BE
= 0
65
65
45
60
80
5
1
2
100
0.8
5
+150
200
+150
V
V
V
V
A
A
mA
W
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
open collector
T
amb
≤
25
°
C
T
case
≤
25
°
C
T
stg
T
j
T
amb
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-c
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to case
in free air
220
35
K/W
K/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS52 | NPN Darlington transistors |
| BSS61 | PNP Darlington transistors |
| BSS62 | PNP Darlington transistors |
| BSS62T1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS72S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200A I(C) | TO-18 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSS51A | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BSS52 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN Darlington transistors |
| BSS52A | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BSS59 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-18 |
| BSS5AOSAPH | 制造商:Brady Corporation 功能描述: |
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