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參數(shù)資料
| 型號： | BSS51 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Darlington transistors |
| 中文描述： | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 封裝： | METAL, TO-39, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | BSS51 |
1997 Sep 03
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN Darlington transistors
BSS50; BSS51; BSS52
FEATURES
High current (max. 1 A)
Low voltage (max. 80 V)
Integrated diode and resistor.
APPLICATIONS
Industrial high gain amplification.
DESCRIPTION
NPN Darlington transistor in a TO-39 metal package.
PNP complements: BSS61 and BSS62.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
emitter
base
collector, connected to case
Fig.1 Simplified outline (TO-39) and symbol.
handbook, halfpage
MAM311
2
3
1
2
3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BSS50
BSS51
BSS52
collector-emitter voltage
BSS50
BSS51
BSS52
collector current
total power dissipation
open emitter
60
80
90
V
V
V
V
CES
V
BE
= 0
2000
200
45
60
80
1
0.8
5
V
V
V
A
W
W
I
C
P
tot
T
amb
≤
25
°
C
T
case
≤
25
°
C
I
C
= 500 mA; V
CE
= 10 V
I
C
= 500 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
h
FE
f
T
DC current gain
transition frequency
MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS52 | NPN Darlington transistors |
| BSS61 | PNP Darlington transistors |
| BSS62 | PNP Darlington transistors |
| BSS62T1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS72S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200A I(C) | TO-18 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSS51A | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BSS52 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN Darlington transistors |
| BSS52A | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BSS59 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-18 |
| BSS5AOSAPH | 制造商:Brady Corporation 功能描述: |
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