參數(shù)資料
型號： BSS123Q62702-S512
元件分類： TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述： Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： 晶體管SOT23封裝貼片MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/1頁
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代理商： BSS123Q62702-S512
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PDF描述
BSS129Q62702-S15 Transient Voltage Suppressor Diodes
BSS63L TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BSS63R TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
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BSS63 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
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參數(shù)描述
BSS123T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 170MA I(D) | TO-236AB
BSS123TA 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS123TC 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS123W 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS123W_0711 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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