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參數(shù)資料
| 型號： | BSS63L |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 100V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | BSS63L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS63R | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| BSS63 | SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR |
| BSS63 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BSS63 | RP10 (EW) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 24V; Output Voltage (Vdc): 12V; 4:1 Wide Input Voltage Range; 10 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; Fixed Operating Frequency; Six-Sided Continuous Shield; Standard 50.8 x25.4x10.2mm Package; Efficiency to 84% |
| BSS63LT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSS63LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 110V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS63LT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High Voltage Transistor PNP |
| BSS63LT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Transistor |
| BSS63LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 110V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS63LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -100V SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, SOT-23 |
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