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參數(shù)資料
| 型號： | BSR51 |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | NPN達(dá)林頓晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | BSR51 |
1997 May 12
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN Darlington transistors
BSR50; BSR51; BSR52
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CES
collector cut-off current
BSR50
BSR51
BSR52
emitter cut-off current
DC current gain
V
BE
= 0; V
CE
= 45 V
V
BE
= 0; V
CE
= 60 V
V
BE
= 0; V
CE
= 80 V
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
V
CE
= 10 V; see Fig.2
I
C
= 150 mA
I
C
= 500 mA
50
50
50
50
nA
nA
nA
nA
I
EBO
h
FE
1000
2000
1.3
V
CEsat
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage I
C
= 0.5 A; I
B
= 0.5 mA
collector-emitter saturation voltage
BSR51
BSR50; BSR52
base-emitter saturation voltage
base-emitter saturation voltage
BSR51
BSR50; BSR52
transition frequency
V
I
C
= 1 A; I
B
= 1 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 4 mA
I
C
= 0.5 A; I
B
= 0.5 mA
1.6
1.6
1.9
V
V
V
V
BEsat
V
BEsat
I
C
= 1 A; I
B
= 1 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 4 mA
I
C
= 500 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
200
2.2
2.2
V
V
MHz
f
T
Switching times (between 10% and 90% levels);
see Fig.3
t
on
t
off
turn-on time
turn-off time
I
Con
= 500 mA; I
Bon
= 0.5 mA;
I
Boff
=
0.5 mA
500
1300
ns
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSR56L | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSR57L | Transient Voltage Suppressor Diodes |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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