參數(shù)資料
型號(hào)： BSR51
元件分類： TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述： Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： NPN達(dá)林頓晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 48K
代理商： BSR51
1997 May 12
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN Darlington transistors
BSR50; BSR51; BSR52
FEATURES
High current (max. 1 A)
Low voltage (max. 80 V)
Integrated diode and resistor.
APPLICATIONS
Industrial high gain amplification.
DESCRIPTION
NPN Darlington transistor in a TO-92; SOT54 plastic
package. PNP complements: BSR60, BSR61 and BSR62.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
collector
emitter
Fig.1
Simplified outline (TO-92; SOT54)
and symbol.
handbook, halfpage
MAM307
1
2
3
1
2
3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BSR50
BSR51
BSR52
collector-emitter voltage
BSR50
BSR51
BSR52
collector current (DC)
total power dissipation
DC current gain
open emitter
60
80
90
V
V
V
V
CES
V
BE
= 0
1000
2000
200
45
60
80
1
0.83
V
V
V
A
W
I
C
P
tot
h
FE
T
amb
≤
25
°
C
I
C
= 150 mA; V
CE
= 10 V
I
C
= 500 mA; V
CE
= 10 V
I
C
= 500 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
f
T
transition frequency
MHz
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