參數(shù)資料
型號： BSR42
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN medium power transistors
中文描述： 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243AA
封裝： PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： BSR42
1999 Apr 28
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium power transistors
BSR40; BSR41; BSR42; BSR43
FEATURES
High current (max. 1 A)
Low voltage (max. 80 V).
APPLICATIONS
Thick and thin-film circuits
Telephony and general industrial applications.
DESCRIPTION
NPN medium power transistor in a SOT89 plastic
package. PNP complements: BSR30; BSR3 and BSR33.
MARKING
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
BSR40
BSR41
AR1
AR2
BSR42
BSR43
AR3
AR4
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
emitter
collector
base
Fig.1 Simplified outline (SOT89) and symbol.
handbook, halfpage
1
2
3
Bottom view
MAM296
3
2
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single sided copper, tinplated, mounting pad for collector 6 cm
2
.
For other mounting conditions, see “Thermal considerations for SOT89 in the General Part of associated Handbook”.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BSR40; BSR41
BSR42; BSR43
collector-emitter voltage
BSR40; BSR41
BSR42; BSR43
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
70
90
V
V
V
CEO
open base
65
65
60
80
5
1
2
0.2
1.35
+150
150
+150
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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PDF描述
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