參數(shù)資料
型號(hào)： BSR32
元件分類： TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述： Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： 進(jìn)步黨中等功率晶體管
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： BSR32
1997 Apr 01
7
Philips Semiconductors
Product specification
PNP medium power transistors
BSR30; BSR31; BSR32; BSR33
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
BSR33 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BSR33,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSR33,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin (3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSR33115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP 80V 0.1A SOT89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPLR TRANSISTOR MED PWR PNP
BSR33QTA 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT-89 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2.1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
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