參數資料
型號： BSR32
元件分類： TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述： Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： 進步黨中等功率晶體管
文件頁數： 4/8頁
文件大小： 42K
代理商： BSR32
1997 Apr 01
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP medium power transistors
BSR30; BSR31; BSR32; BSR33
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
= 300
μ
s;
δ
< 0.01.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
100
50
100
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
60 V
I
E
= 0; V
CB
=
60 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
I
C
=
100
μ
A; V
CE
=
5 V; note 1
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
BSR30; BSR32
BSR31; BSR33
DC current gain
BSR30; BSR32
BSR31; BSR33
DC current gain
BSR30; BSR32
BSR31; BSR33
collector-emitter saturation voltage
10
30
h
FE
I
C
=
100 mA; V
CE
=
5 V; note 1
40
100
120
300
h
FE
I
C
=
500 mA; V
CE
=
5 V; note 1
30
50
0.25
0.5
1
1.2
V
CEsat
I
C
=
150 mA; I
B
=
15 mA; note 1
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA; note 1
I
C
=
150 mA; I
B
=
15 mA; note 1
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA; note 1
I
C
=
50 mA; V
CE
=
10 V; f = 100 MHz 100
V
V
V
V
MHz
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
f
T
transition frequency
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