參數(shù)資料
型號(hào)： BSR19
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN switching transistors
中文描述： 300 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 67K
代理商： BSR19
1997 Apr 21
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistors
BSR19; BSR19A
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BSR19
BSR19A
collector-emitter voltage
BSR19
BSR19A
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
base current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
160
180
V
V
V
CEO
open base
65
65
140
160
6
300
600
100
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient note 1
500
K/W
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