參數(shù)資料
型號(hào)： BSR19
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN switching transistors
中文描述： 300 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： BSR19
1997 Apr 21
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistors
BSR19; BSR19A
FEATURES
Low current (max. 300 mA)
High voltage (max. 160 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification
Especially used for telephony applications.
DESCRIPTION
NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package.
PNP complements: BSR20 and BSR20A.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, halfpage
2
1
3
MAM255
Top view
2
3
1
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
BSR19
BSR19A
U35
U36
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BSR19
BSR19A
collector-emitter voltage
BSR19
BSR19A
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
BSR19
BSR19A
transition frequency
open emitter
160
180
V
V
V
CEO
open base
140
160
600
250
V
V
mA
mW
I
CM
P
tot
h
FE
T
amb
≤
25
°
C
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V
60
80
100
300
f
T
I
C
= 10 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz
MHz
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