參數(shù)資料
型號： BSP31
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： BSP31
BSP 317
Data Sheet
7
05.99
Drain-source on-resistance
R
DS (on)
=
(T
j
)
parameter: I
D
= -0.37 A, V
GS
= -10 V
-60
-20
20
60
100
C
T
j
160
0
2
4
6
8
10
12
14
18
R
DS (on)
typ
98%
Gate threshold voltage
V
GS (th)
=
(T
j
)
parameter: V
GS
= V
DS
, I
D
= -1 mA
0.0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
-2.8
-3.2
-3.6
-4.0
V
-4.6
V
GS(th)
-60
-20
20
60
100
C
T
j
160
2%
typ
98%
Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
= 1 MHz
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
V
-40
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
pF
C
C
iss
C
rss
C
oss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
=
(V
SD
)
parameter: T
j
, t
p
= 80 μs
-2
0.0
-10
-1
-10
0
-10
1
-10
A
I
F
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
V
-3.0
V
SD
T
j
= 25 C typ
T
j
= 150 C typ
T
j
= 25 C (98%)
T
j
= 150 C (98%)
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參數(shù)描述
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