參數(shù)資料
型號： BSP318
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 2.6AI（四）|的SOT - 223
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： BSP318
BSP 317
Data Sheet
6
05.99
Typ. output characteristics
I
D
=
(
V
DS
)
parameter: t
p
= 80 μs
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
V
-9
V
DS
0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
A
-0.9
I
D
VGS [V]
a
a
-2.0
b
b
-2.5
c
c
-3.0
d
d
-3.5
e
e
-4.0
f
f
-4.5
g
g
-5.0
h
l
h
-6.0
i
i
-7.0
j
k
j
-8.0
k
-9.0
P
tot
= 2W
l
-10.0
Typ. drain-source on-resistance
R
DS (on)
=
(
I
D
)
parameter: t
p
= 80 μs, T
j
= 25 C
0.00
-0.10
-0.20
-0.30
-0.40
A
I
D
-0.60
0
2
4
6
8
10
12
14
16
19
R
DS (on)
V
GS
[V] =
a
-2.0
a
b
b
-2.5
c
c
-3.0
d
d
-3.5
e
e
-4.0
f
f
-4.5
g
h
j
g
-5.0
h
-6.0
i
k
i
-7.0
j
-8.0
k
-9.0
l
l
-10.0
Typ. transfer characteristics
I
D
= f
(
V
GS
)
parameter:
t
p
= 80 μs
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
V
-10
V
GS
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
A
-1.8
I
D
Typ. forward transconductance
g
fs
=
f
(
I
D
)
parameter:
t
p
= 80 μs,
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
A
-1.6
I
D
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
S
0.65
g
fs
相關PDF資料
PDF描述
BSP31 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BSP31 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BSPD25N06S2-40 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-252AA
BSPD30N08S2-22 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA
BSPE100XL240V JIGSAW
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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BSP318S L6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A SMALL SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSP318S 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-223
BSP318S_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor
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