BSP318S_08

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制造商
INFINEON
制造商全稱
Infineon Technologies AG
功能描述
SIPMOS Small-Signal-Transistor

BSP318S_08 技術(shù)參數(shù)

BSP318S E6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP317PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:430mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP317PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:430mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP317PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:430mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP317PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:430mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP320SL6327HTSA1 BSP320SL6433HTMA1 BSP321PH6327XTSA1 BSP321PL6327HTSA1 BSP322PH6327XTSA1 BSP322PL6327HTSA1 BSP324 E6327 BSP324H6327XTSA1 BSP324L6327HTSA1 BSP3-277 BSP3-277-20KA BSP3-277-20KA-TN BSP3-277-LC BSP33,115 BSP3-347 BSP3-347-LC BSP3-480 BSP3-480-20K