參數(shù)資料
型號： BSP317Q67000-S94
英文描述： TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223
中文描述： 晶體管MOSFET的貼片采用SOT 223
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： BSP317Q67000-S94
BSP 317
Data Sheet
6
05.99
Typ. output characteristics
I
D
=
(
V
DS
)
parameter: t
p
= 80 μs
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
V
-9
V
DS
0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
A
-0.9
I
D
VGS [V]
a
a
-2.0
b
b
-2.5
c
c
-3.0
d
d
-3.5
e
e
-4.0
f
f
-4.5
g
g
-5.0
h
l
h
-6.0
i
i
-7.0
j
k
j
-8.0
k
-9.0
P
tot
= 2W
l
-10.0
Typ. drain-source on-resistance
R
DS (on)
=
(
I
D
)
parameter: t
p
= 80 μs, T
j
= 25 C
0.00
-0.10
-0.20
-0.30
-0.40
A
I
D
-0.60
0
2
4
6
8
10
12
14
16
19
R
DS (on)
V
GS
[V] =
a
-2.0
a
b
b
-2.5
c
c
-3.0
d
d
-3.5
e
e
-4.0
f
f
-4.5
g
h
j
g
-5.0
h
-6.0
i
k
i
-7.0
j
-8.0
k
-9.0
l
l
-10.0
Typ. transfer characteristics
I
D
= f
(
V
GS
)
parameter:
t
p
= 80 μs
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
V
-10
V
GS
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
A
-1.8
I
D
Typ. forward transconductance
g
fs
=
f
(
I
D
)
parameter:
t
p
= 80 μs,
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
A
-1.6
I
D
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
S
0.65
g
fs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP318 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SOT-223
BSP31 MEDIUM POWER AMPLIFIER
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BSPD25N06S2-40 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-252AA
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參數(shù)描述
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BSP318S E6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BSP318S L6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A SMALL SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSP318S 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-223
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