參數(shù)資料
型號： BSP17Q67000-S220
英文描述： TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223 N KANAL
中文描述： 晶體管MOSFET的貼片采用SOT 223 ?卡納爾
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 140K
代理商： BSP17Q67000-S220
Semiconductor Group
2
Sep-12-1996
BSP 17
Maximum Ratings
Parameter
Chip or operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip to ambient air
Therminal resistance, junction-soldering point
1)
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Symbol
T
j
T
stg
R
thJA
R
thJS
Values
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
70
≤
10
E
55 / 150 / 56
Unit
°C
K/W
1) Transistor on epoxy pcb 40 mm x 40 mm x 1,5 mm with 6 cm
2
copper area for drain connection
Electrical Characteristics,
at T
j
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Drain- source breakdown voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 0.25 mA, T
j
= 0 °C
Gate threshold voltage
V
GS=
V
DS,
I
D
= 1 mA
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V, T
j
= 25 °C
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V, T
j
= 125 °C
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
Drain-Source on-state resistance
V
GS
= 10 V, I
D
= 3.2 A
V
(BR)DSS
50
-
-
V
V
GS(th)
2.1
3
4
I
DSS
-
-
10
0.1
100
1
μA
I
GSS
-
10
100
nA
R
DS(on)
-
0.09
0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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