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參數(shù)資料
| 型號： | BSP128 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | Si, SMALL SIGNAL, FET |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | BSP128 |
April 1995
7
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP128
NOTES
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSP145 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP16T3 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
| BSP16 | PNP high-voltage transistor |
| BSP16 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| BSP17Q67000-S220 | TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223 N KANAL |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSP128T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 350MA I(D) | SOT-223 |
| BSP129 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N CH MOSFET, 240V, 120mA, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120mA; Drain Source Voltage Vds:240V; On Resistance Rds(on):20ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.4V ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 240V 0.35A SOT223 |
| BSP129 L6327 | 功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 240V .05A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSP129 L6906 | 功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 240V .05A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSP129 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-223 |
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