參數(shù)資料
型號： BSP128
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： Si, SMALL SIGNAL, FET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： BSP128
April 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP128
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
5
400
50
20
5
MAX. UNIT
1
100
1.8
8
80
30
10
V
(BR)DSS
I
DSS
±
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
Y
fs
C
iss
C
oss
C
rss
drain-source breakdown voltage
drain-source leakage current
gate-source leakage current
gate-source threshold voltage
drain-source on-resistance
transfer admittance
input capacitance
output capacitance
feedback capacitance
I
D
= 10
μ
A; V
GS
= 0
V
DS
= 160 V; V
GS
= 0
±
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
I
D
= 1 mA; V
GS
= V
DS
I
D
= 100 mA; V
GS
= 2.8 V
I
D
= 300 mA; V
DS
= 25 V
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0; f = 1 MHz
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0; f = 1 MHz
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0; f = 1 MHz
200
0.4
200
V
μ
A
nA
V
mS
pF
pF
pF
Switching times (see Figs
2
and
3
)
t
on
turn-on time
I
D
= 250 mA; V
DD
= 50 V;
V
GS
= 0 to 10 V
I
D
= 250 mA; V
DD
= 50 V;
V
GS
= 0 to 10 V
5
10
ns
t
off
turn-off time
20
30
ns
Fig.2 Switching times test circuit.
V
DD
= 50 V.
handbook, halfpage
MBB691
50
VDD = 50 V
ID
10 V
0 V
Fig.3 Input and output waveforms.
handbook, halfpage
MBB692
10 %
90 %
90 %
10 %
ton
toff
OUTPUT
INPUT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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