型號: | BSO604NS2 |
廠商: | Infineon Technologies |
文件頁數(shù): | 5/5頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | MOSFET N-CHAN DUAL 55V DSO-8 |
產(chǎn)品目錄繪圖: | Mosfets DSO-8 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | 2 個 N 溝道(雙) |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 55V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 5A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 35 毫歐 @ 2.5A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 30µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 870pF @ 25V |
功率 - 最大: | 2W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | P-DSO-8 |
包裝: | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
產(chǎn)品目錄頁面: | 1617 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱: | BSO604NS2DKR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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