BSO604NS2NT

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 55V 5A 8-Pin DSO T/R

BSO604NS2NT 技術(shù)參數(shù)

BSO4822T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 12.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 55μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1640pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO4822 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 12.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 55μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1640pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO4804T 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:870pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO4804HUMA2 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 8A DSO8 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:870pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO4804 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:870pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO615N BSO615N G BSO615NGHUMA1 BSOF3S3E-010.0M BSP 51 E6327 BSP 52 E6327 BSP 60 E6433 BSP030,115 BSP100,135 BSP110,115 BSP122,115 BSP123E6327T BSP123L6327HTSA1 BSP125 E6327 BSP125 E6433 BSP125H6327XTSA1 BSP125H6433XTMA1 BSP125L6327HTSA1