參數(shù)資料
型號： BSO304SN
英文描述： Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： ？小信號MOSFET。 30V的。 SO - 8封裝。導通狀態(tài)\u003d 30mOhm。 6.4A。當?shù)毓蛦T？
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 217K
代理商： BSO304SN
2001-08-21
Page 3
Preliminary data
BSO301SN
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
2*
I
D
*
R
DS(on)max
,
I
D
=11.6A
13.7
27.4
-
S
Input capacitance
Output capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
R
G
t
d(on)
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
1770
2213
pF
-
740
925
Reverse transfer capacitance
Gate resistance
Turn-on delay time
-
165
206
-
-
1.3
9
-
V
DD
=15V,
V
GS
=10,
I
D
=11A,
R
G
=2.2
13.5
ns
Rise time
t
r
t
d(off)
t
f
V
DD
=15V,
V
GS
=10V,
I
D
=11A,
R
G
=2.2
-
44
66
Turn-off delay time
Fall time
-
10
15
-
32
48
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=15V,
I
D
=13A
-
4.9
6.1
nC
Gate to drain charge
-
12.8
16
Gate charge total
V
DD
=15V,
I
D
=13A,
V
GS
=0 to 10V
-
46.3
56.6
Gate plateau voltage
V
(plateau)
V
DD
=15V,
I
D
=13A
-
2.7
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
A
=25°C
-
-
2.2
A
Inverse diode direct current,
pulsed
I
SM
-
-
52
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=2.2A
-
0.85
1.13
V
V
R
=15V,
I
F=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100A/μs
-
32
48
ns
-
43.6
70
nC
相關PDF資料
PDF描述
BSO315C Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSP090 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP106 INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15%
BSP107 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP108 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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