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參數(shù)資料
| 型號： | BSM50GD170DLV |
| 英文描述： | High Voltage Rectifer Diodes |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 335K |
| 代理商： | BSM50GD170DLV |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM50GD60DLC | 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM50GD60DLCE3226 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 70A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM50GD60DLC-E3226 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM50GD60DN2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
| BSM50GD60DN2E3226 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
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