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BSM50GD60DLC-E3226

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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BSM50GD60DLC-E3226 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 模塊 600V 50A 3-PHASE
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 產(chǎn)品
  • IGBT Silicon Modules
  • 配置
  • Dual
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 600 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 1.95 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 230 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 445 W
  • 最大工作溫度
  • + 125 C
  • 封裝 / 箱體
  • 34MM
  • 封裝
BSM50GD60DLC-E3226 技術(shù)參數(shù)
  • BSM50GD120DN2G 功能描述:IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:- 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 功率 - 最大值:400W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:33nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM50GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 75A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:2.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM50GB170DN2HOSA1 功能描述:IGBT Module Half Bridge 1700V 72A 500W Chassis Mount Module 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 IGBT 類型:- 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:72A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM35GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:* 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C BSN14-E BSN14-M BSN18-3K
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免責(zé)聲明：以上所展示的BSM50GD60DLC-E3226信息由會(huì)員自行提供，BSM50GD60DLC-E3226內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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