參數(shù)資料
型號(hào)： BSM50GAL100D
英文描述： High Voltage Rectifer Diodes
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1KV交五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 50A條一（c）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： BSM50GAL100D
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PDF描述
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參數(shù)描述
BSM50GAL120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB100D 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
BSM50GB120D 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
BSM50GB120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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