參數(shù)資料
型號(hào)： BSM50GAL100D
英文描述： High Voltage Rectifer Diodes
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1KV交五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 50A條一（c）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 335K
代理商： BSM50GAL100D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM50GB60DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD120DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD170DLV High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD60DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD60DLCE3226 High Voltage Rectifer Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM50GAL120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB100D 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
BSM50GB120D 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
BSM50GB120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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