參數(shù)資料
型號(hào)： BSM35GB120DLC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： vorlafige Daten preliminary data
中文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 98K
代理商： BSM35GB120DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM35GB120DLC
vorlufige Daten
preliminary data
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
= 80 °C
I
C,nom.
35
A
T
C
= 25 °C
I
C
75
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
= 80°C
I
CRM
70
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
=25°C, Transistor
P
tot
310
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
35
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1 ms
I
FRM
70
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
400
A
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I
C
= 35A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C
V
CE sat
-
2,1
2,6
V
I
C
= 35A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
-
2,4
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 1,2mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V...+15V
Q
G
-
0,35
-
μ
C
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
-
2
-
nF
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
-
t.b.d.
-
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
CES
-
5
500
μ
A
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
250
μ
A
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
400
nA
prepared by: Mark Münzer
date of publication: 15.5.1999
approved by:
revision: 1
1(8)
Datenblatt_BSM35GB120DLC.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM75GB60DLC Hchstzulssige Werte Maximum rated values
BSO4822 OptiMOS Small-Signal-Transistor
BSP75G 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTA 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTC 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM35GB120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GD120D2 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
BSM35GD120DLC 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Module Maximum rated values
BSM35GD120DLCE3224 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 70A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GD120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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