參數(shù)資料
型號： BSM30GP60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
中文描述： 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-24
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： BSM30GP60
Technische Information / Technical Information
BSM 30 GD 60 DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
I
C
V
GE
[V]
I
F
V
F
[V]
0
10
20
30
40
50
60
5
6
7
8
9
10
11
12
13
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
übertragungscharakteristik (typisch) I
C
= f (V
GE
)
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20V
0
10
20
30
40
50
60
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5 (8)
BSM 30 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM35GD120DLCE3224 High Efficient Rectifier Diodes
BSM35GP120 IGBT Module
BSM35GP120G IGBT Module
BSM400GA170DLC High Voltage Rectifer Diodes
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參數(shù)描述
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BSM30GP602 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
BSM35GB120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GB120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GD120D2 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
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