參數(shù)資料
型號(hào)： BSM30GP602
英文描述： High Efficient Rectifier Diodes
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： BSM30GP602
Technische Information / Technical Information
BSM 30 GD 60 DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
8 (8)
BSM 30 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM30GP60 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
BSM35GD120DLCE3224 High Efficient Rectifier Diodes
BSM35GP120 IGBT Module
BSM35GP120G IGBT Module
BSM400GA170DLC High Voltage Rectifer Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM35GB120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GB120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GD120D2 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
BSM35GD120DLC 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Module Maximum rated values
BSM35GD120DLCE3224 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 70A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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