參數(shù)資料
型號(hào)： BSM30GD60DN2E3224
英文描述： High Efficient Rectifier Diodes
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊| 3 - PH值大橋| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 30A條一（c）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
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代理商： BSM30GD60DN2E3224
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM35GD120DN2 High Efficient Rectifier Diodes
BSM400GA120DN2S TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 550A I(C)
BSM10GP60 IGBT-Module
BSM10GP602 IGBT Module
BSM141 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 60A I(D)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM30GP60 功能描述:IGBT 模塊 600V 30A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM30GP60_B2 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1600V 30A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM30GP602 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
BSM35GB120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GB120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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