- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369500 > BSM30GD60DLCE3224 High Efficient Rectifier Diodes PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BSM30GD60DLCE3224 |
| 英文描述： | High Efficient Rectifier Diodes |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商： | BSM30GD60DLCE3224 |
Technische Information / Technical Information
BSM 30 GD 60 DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
-
-
0,9
K/W
Diode/Diode, DC
-
-
1,4
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1 W/m*K /
λ
grease
= 1 W/m*K
R
thCK
-
0,02
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
CTI
comperative tracking index
225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
+ 15% / -15%
4
Nm
-15
+15
%
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
-
Nm
-
Nm
Gewicht
weight
G
180
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
M
3 (8)
BSM 30 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM300GA100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 300A I(C) |
| BSM300GA120D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) |
| BSM300GA120DN2 | IGBT Module |
| BSM300GA120DN2S | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM300GA160D | High Efficient Rectifier Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM30GD60DN2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 30A I(C) |
| BSM30GD60DN2E3224 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 30A I(C) |
| BSM30GP60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 30A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM30GP60_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1600V 30A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM30GP602 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。