參數(shù)資料
型號： BSM300GB60DLC
英文描述： High Efficient Rectifier Diodes
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 92K
代理商： BSM300GB60DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 30 GD 60 DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
Z
t
[
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
38,1
0,0018
493,4
0,0487
471,6
0,0240
473,2
0,0169
317,2
0,0651
297,2
0,1069
73,1
0,6626
136,3
0,9115
I
C
V
CE
[V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
R
G,off
= 6,8
, T
vj
= 125°C
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0
20
40
60
80
0
100
200
300
400
500
600
700
IC,Modul
IC,Chip
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Zth:IGBT
Zth:Diode
7 (8)
BSM 30 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM30GD60DLC High Efficient Rectifier Diodes
BSM30GP602 High Efficient Rectifier Diodes
BSM30GP60 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
BSM35GD120DLCE3224 High Efficient Rectifier Diodes
BSM35GP120 IGBT Module
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參數(shù)描述
BSM30GD60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 30A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM30GD60DLCE3224 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM30GD60DN2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 30A I(C)
BSM30GD60DN2E3224 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 30A I(C)
BSM30GP60 功能描述:IGBT 模塊 600V 30A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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