參數(shù)資料
型號(hào)： BSM300GB60DLC
英文描述： High Efficient Rectifier Diodes
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： BSM300GB60DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 30 GD 60 DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
E
I
C
[A]
E
R
G
[
]
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
Eon
Eoff
Erec
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
0
5
10
15
20
25
30
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (R
G
) , E
off
= f (R
G
) , E
rec
= f (R
G
)
Switching losses (typical)
I
C
= 30A , V
CC
= 300V , T
vj
= 125°C
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (I
C
) , E
off
= f (I
C
) , E
rec
= f (I
C
)
Switching losses (typical)
R
G,on
= 6,8
,
=
R
G,off
= 6,8
, V
CC
= 300V, T
vj
= 125°C
6 (8)
BSM 30 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM30GD60DLC High Efficient Rectifier Diodes
BSM30GP602 High Efficient Rectifier Diodes
BSM30GP60 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
BSM35GD120DLCE3224 High Efficient Rectifier Diodes
BSM35GP120 IGBT Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM30GD60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 30A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM30GD60DLCE3224 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM30GD60DN2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 30A I(C)
BSM30GD60DN2E3224 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 30A I(C)
BSM30GP60 功能描述:IGBT 模塊 600V 30A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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