參數(shù)資料
型號: BSM25GD120D
英文描述: High Efficient Rectifier Diodes
中文描述: 晶體管| IGBT功率模塊| 3 - PH值大橋| 1.2KV五(巴西)國際消費電子展|第25A一(c)
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代理商: BSM25GD120D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM25GD120DLCE3224 High Efficient Rectifier Diodes
BSM30GD60DLCE3224 High Efficient Rectifier Diodes
BSM300GA100D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 300A I(C)
BSM300GA120D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)
BSM300GA120DN2 IGBT Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM25GD120D2 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
BSM25GD120DLCE3224 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM25GD120DLCE3224XXX 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSM25GD120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 25A FL BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM25GD120DN2E3224 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 35A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: