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參數(shù)資料
| 型號： | BSM15GP602 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 349K |
| 代理商： | BSM15GP602 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM150GAL120DLC | IGBT Module |
| BSM150GB100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) |
| BSM150GB120D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) |
| BSM150GB160D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 200A I(C) |
| BSM150GB170DLC | IGBT Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM180D12P2C101 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE: 1200V, 180A (NO DIODE) - Bulk 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SIC PWR MOD DMOS HALF BRIDGE 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE POWER SIC 1200V 180 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE POWER SIC 1200V 180A 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:180A, Drain Source Voltage Vds:1.2kV, Threshold Voltage Vgs:2.7V, Power Dissipation Pd:1.13kW, Operating Temperature Min:-40C, Operating |
| BSM180D12P3C007 | 功能描述:SIC POWER MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 50mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:880W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12 |
| BSM181 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIMOPAC Module (Power module Single switch N channel Enhancement mode) |
| BSM181(C) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)DSS | 36A I(D) |
| BSM181F | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIMOPAC Module (Power module Single switch FREDFET N channel Enhancement mode) |
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