參數(shù)資料
型號: BSM10GP1202
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大?。?/td> 339K
代理商: BSM10GP1202
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM200GA120DN2S High Efficient Rectifier Diodes
BSM200GA170DN2S High Efficient Rectifier Diodes
BSM100GB100D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C)
BSM100GB120D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
BSM100GB120DLCK Avalanche Rectifier Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM10GP60 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM10GP602 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT Module
BSM111 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIMOPAC Module (Power module Single switch N channel Enhancement mode)
BSM111AR 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIMOPAC Module (Power module Single switch N channel Enhancement mode)
BSM111AR(C) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 200A I(D)