- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369499 > BSM10GD100D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 10A I(C) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BSM10GD100D |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 10A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊| 3 - PH值大橋| 1KV交五（巴西）國際消費電子展| 10A條一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | BSM10GD100D |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM10GD120DN2 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 15A I(C) |
| BSM10GD120DN2E3224 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 15A I(C) |
| BSM10GP1202 | IGBT Module |
| BSM200GA120DN2S | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM200GA170DN2S | High Efficient Rectifier Diodes |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM10GD120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 10A FL BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM10GD120DN2E3224 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM10GD60DLC | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| BSM10GD60DN2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes |
| BSM10GP120 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 10A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。