參數(shù)資料
型號(hào)： BSM100GB160D
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 135A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.6KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 135a條一（c）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： BSM100GB160D
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PDF描述
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參數(shù)描述
BSM100GB170DL 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM100GB170DL,C-SERIE 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSM100GB170DLC 功能描述:IGBT 模塊 1700V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM100GB170DN2 功能描述:IGBT 模塊 1700V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM100GB170DN2_E3256 C 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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