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參數(shù)資料
| 型號： | BSM100GB100D |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1KV交五（巴西）國際消費電子展| 100號A一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 339K |
| 代理商： | BSM100GB100D |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM100GB120D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) |
| BSM100GB120DLCK | Avalanche Rectifier Diodes |
| BSM100GB160D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 135A I(C) |
| BSM20GD60DN2E3224 | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM30GD60DN2E3224 | High Efficient Rectifier Diodes |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM100GB120D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) |
| BSM100GB120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM100GB120DLCK | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM100GB120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM100GB120DN2_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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