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參數(shù)資料
| 型號： | BSM05GD100D |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 5A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊| 3 - PH值大橋| 1KV交五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 5A條一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | BSM05GD100D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM100GAL100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) |
| BSM100GB170DLC | IGBT Module |
| BSM100GB60DLC | IGBT Module |
| BSM100GD120DN2V2 | IGBT Module |
| BSM100GD60DLC | IGBT Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM080D12P2C008 | 功能描述:SIC POWER MODULE-1200V-80A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 10V 功率 - 最大值:600W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| BSM100 | 制造商:Brady Corporation 功能描述: |
| BSM100D12P1C004 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SIC MODULE - Bulk |
| BSM100GAL100D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) |
| BSM100GAL120DLCK | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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