型號(hào): | BSC084P03NS3G |
廠商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 14.9 A, 30 V, 0.0084 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
文件頁(yè)數(shù): | 9/9頁(yè) |
文件大?。?/td> | 281K |
代理商: | BSC084P03NS3G |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BSF030NE2LQ | 24 A, 25 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
BSZ086P03NS3EG | 13.5 A, 30 V, 0.0134 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
BT485AKHJ170 | 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84 |
BT485AKPJ135 | 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84 |
BT68561AKPJ | 1 CHANNEL(S), 4M bps, MULTI PROTOCOL CONTROLLER, PQCC68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSC084P03NS3GATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin TDSON EP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 |
BSC085N025S | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
BSC085N025S G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
BSC085N025SG | 功能描述:MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSC085N025SG_09 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor |