參數(shù)資料
型號： BS208
廠商： DIODES INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR
中文描述： 200 mA, 240 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： BS208
April 1995
6
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BS208
Fig.9
Temperature coefficient of drain-source
on-resistance;
R
R
DS on
;
typical R
DS(on)
at 200 mA/10 V.
k
)
at 25
°
C
----------------------------------------------
=
handbook, halfpage
50
0
50
k
Tj (
°
C)
150
0
2
100
1.5
1
0.5
MDA710
Fig.10 Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage;
V
V
GS th
;
typical VGS(th) at 1 mA.
k
)
at 25
°
C
--------------------------------------------
=
handbook, halfpage
50
0
50
Tj (
°
C)
k
150
1
0.8
0.7
0.9
100
MDA711
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