參數(shù)資料
型號(hào)： BS208
廠商： DIODES INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR
中文描述： 200 mA, 240 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 64K
代理商： BS208
April 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BS208
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
V
DS
±
V
GSO
I
D
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
drain-source voltage
gate-source voltage
drain current
drain current
total power dissipation
storage temperature range
junction temperature
200
20
V
V
A
A
W
°
C
°
C
open drain
DC
peak value
T
amb
= 25
°
C
0.2
0.6
0.83
+150
150
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
R
thj-a
from junction to ambient
150
K/W
Fig.2 Power derating curve.
handbook,
0
50
100
200
1
0
0.8
150
0.6
0.4
0.2
MDA690
Ptot
(W)
Tamb (
°
C)
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