參數(shù)資料
型號(hào)： BR101
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 開(kāi)關(guān)
英文描述： Silicon controlled switch
中文描述： SILICON CONTROLLED SWITCH, TO-72
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： BR101
1997 Jul 24
5
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon controlled switch
BR101
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
NPN transistor
I
CER
collector cut-off current
V
CE
= 50 V; R
BE
= 10 k
V
CE
= 50 V; R
BE
= 10 k
; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V; T
j
= 150
°
C
300
500
50
50
500
900
5
25
nA
μ
A
μ
A
mV
mV
I
EBO
V
CEsat
V
BEsat
h
FE
f
T
C
c
C
e
emitter cut-off current
collector-emitter saturation voltage I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA
base-emitter saturation voltage
DC current gain
transition frequency
collector capacitance
emitter capacitance
50
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 10 mA; V
CE
= 2 V
I
C
= 10 mA; V
CE
= 2 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 20 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 1 V
MHz
pF
pF
PNP transistor
I
CEO
I
EBO
h
FE
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
I
B
= 0; V
CE
=
50 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
50 V; T
j
= 150
°
C
I
E
= 1 mA; V
CB
= 0 V
0.25
50
50
2.5
μ
A
μ
A
Combined device
V
AK
forward on-state voltage
R
KG-K
= 10 k
I
A
= 50 mA; I
AG
= 0
I
A
= 1 mA; I
AG
= 10 mA
R
KG-K
= 10 k
; I
AG
= 10 mA;
V
BB
=
2 V
1.4
1.2
1
V
V
mA
I
H
holding current
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PDF描述
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BR1010 SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
BR101 SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
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